??英飛凌第五代高效率1200V CoolSiC肖特基二極管
作者：海飛樂技術 時間：2019-04-17 15:44
新的封裝將爬電距離和電氣間隙增至8.7mm，能夠在嚴重污染環境中實現非凡安全性。結合硅IGBT或超結MOSFET，譬如，在三相系統中用于Vienna整流或PFC升壓，CoolSiC系列二極管相比于硅二極管，效率可提高1%或以上，PFC和DC-DC級的輸出功率可增加40%或以上。除開關損耗微乎其微之外——這是碳化硅肖特基二極管的標志性特點——第五代CoolSiC系列二極管產品還具備出類拔萃的正向電壓（VF），VF受溫度影響的偏移小，并且擁有超強的浪涌電流能力。得益于此，該系列產品能夠以極具吸引力的價位，提供市場領先的效率和出色的系統可靠性。
歸功于業內最低正向電壓（VF）和不易受溫度影響的特性，相對于市場上的碳化硅二極管，第五代CoolSiC系列二極管在整個負載范圍內具備最低靜態損耗，同時10A CoolSiC系列二極管具備與30A超快硅二極管相當的正向電壓，提供了硅二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時，它的反向恢復電荷幾乎為零。
650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode/ultrafast Si diode in a Vienna rectifier topology fsw = 48Hz
歸功于業內最低正向電壓（VF）和不易受溫度影響的特性，相對于市場上的碳化硅二極管，第五代CoolSiC系列二極管在整個負載范圍內具備最低靜態損耗，同時10A CoolSiC系列二極管具備與30A超快硅二極管相當的正向電壓，提供了硅二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時，它的反向恢復電荷幾乎為零。
關鍵特性
1. 無反向恢復電流，無正向恢復電壓
2. 開關性能不受溫度影響
3. 即使在較高溫度下，可保持較低正向電壓
4. 正向電壓參數分布集中
5. 超強的浪涌電流能力
6. 2腳封裝，爬電距離和電氣間隙為8.7mm
主要優勢
1. 即插即用，輕松取代硅二極管
2. 相比于硅二極管，系統效率有所提高
3. 可實現更高頻率/更大功率密度
4. 提升系統可靠性
Application example - 3-phase Vienna rectifier and DC-DC output rectifier
Application example -3-phase Power Factor Correction (PFC)
產品組合
TO-247和TO-247-2封裝其正向電流最高可達40A，TO-220-2封裝為20A，DPAK封裝為10A。
目標應用包括：太陽能逆變器、電動汽車直流充電系統、開關電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）、儲能、電機驅動、電焊機和商用農用車（CAV）等。
文章來源：英飛凌工業半導體
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