英飛凌推第六代650V碳化硅肖特基二極管

  肖特基二極管是通過金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導體器件。肖特基二極管的基本結構是重摻雜的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。

  據悉，英飛凌科技股份公司推出第六代650V CoolSiC肖特基二極管，是CoolSiC二極管產品系列的最新成員。它立足于第五代產品與眾不同的特性，能確保可靠性、質量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650V CoolMOS 7產品系列的完美補充。它們面向當前和未來的服務器和PC電源、電信設備電源和光伏逆變器應用。
  第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統，內部結構也與上代產品完全不同。其結果就是樹立行業標桿VF(1.25 V)，以及比上一代產品低17%的Qc x VF 優質系數(FOM)。此外，新推出的第六代全新二極管充分發揮碳化硅的強大特性——獨立于溫度的開關性能和沒有反向恢復電荷。
  該器件的設計有助于在所有負載條件下提高效率，同時提高系統功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統可靠性和極快開關速度等諸多優勢。新款器件是具備最佳性價比的新一代碳化硅二極管產品。
  SBD 在導通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復電流小，關斷過程很快，開關損耗小。傳統的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據報道，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低，但最高也可以達到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，最低只有 0.5 eV，最高可達1.7 eV。于是，SBD 成為人們開發碳化硅電力電子器件首先關注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結合的理想器件。



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