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                IRF6811STRPBF現貨參數應用及PDF資料下載

                作者:海飛樂技術 時間:2020-12-30 18:15

                IRF6811STRPBF應用
                  IRF6811STRPBF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術與先進DirectFETTM封裝相結合,具有極低的導通電阻。封裝外形為Micro8,尺寸僅為0.7mm。DirectFET封裝與電力應用中使用的現有布局結構兼容。當應用于印刷電路板組裝設備和氣相,紅外或對流焊接技術,是遵循注意事項AN-1035中的有關制造方法和工藝。
                  IRF6811STRPbF具有低柵極電阻、低電荷以及超低封裝電感,顯著降低了開關損耗。提高系統可靠性,使該器件成為高性能隔離DC-DC變換器的理想選擇。為最新一代處理器提供更高頻率的電源。
                 
                IRF6811STRPBF特性
                符合RoHS
                超薄(<0.7 mm)
                雙面冷卻兼容
                超低封裝電感
                高頻開關優化
                CPU核心DC-DC轉換器的理想選擇
                控制FET應用的優化
                兼容現有的表面貼裝技術
                100% RG測試
                與DirectFET兼容的封裝外形
                 
                IRF6811STRPBF基本參數
                制造商:Infineon
                產品種類:MOSFET
                安裝風格:SMD/SMT
                封裝/箱體:DirectFET-SQ
                晶體管極性:N-Channel
                通道數量:1 Channel
                Vds-漏源極擊穿電壓:25V
                Id-連續漏極電流:74 A
                Rds On-漏源導通電阻:5.4 mOhms
                Vgs -柵極-源極電壓:±16 V
                Qg-柵極電荷:11 nC
                Pd-功率耗散:32 W
                尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
                單位重量:215.558 mg
                 
                IRF6811STRPBF其他參數

                IRF6811STRPBF其他參數 
                 
                IRF6811STRPBF特性曲線圖
                IRF6811STRPBF特性曲線圖 
                 
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                IRF6811STRPBF  PDF資料下載




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