??東芝SiC肖特基二極管特性與應用
作者：海飛樂技術 時間：2017-03-28 17:55
碳化硅（Silicon carbide，化學式SiC）俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導體中。
雖然有很多關于碳化硅制造史的傳聞，但是真正實現碳化硅的大量制備還是在1890年由愛德華•古德里奇•艾奇遜遜率先實現的，到現在SiC已發展成為主要的寬帶隙半導體材料之一，成為當前半導體研究領域的前沿和熱點。
SiC材料特性中最具吸引力的方面有：
寬帶隙，不同聚合物可以高達（3～3.3）eV；
高的雪崩臨界擊穿電場，（2.5～5）MV / cm；
高熱導率，（3～4.9）W / cm•K
高工作溫度（高達1000 ℃）
高化學穩定性和抗輻照特性
作為電子材料，SiC介電常數僅高于金剛石，在高頻器件中具有很大潛力；SiC具有較高的擊穿場強和熱導率，在高溫大功率領域中具有廣闊的前景。
SiC肖特基二極管特性
肖特基二極管是結構最簡單的SiC電子器件，考慮反向擊穿電壓和通電電阻率的兩項重要器件參數，SiC明顯優于Si和GaAs肖特基二極管。
SiC肖特基二極管作為一種低功耗、超高速半導體器件，其最顯著的特點為：
正向壓降低，約只有一般硅二極管的一半
反向恢復時間小，比超快速恢復管還要小得多
非常適合替代硅材料快速恢復二極管（FRD）的應用，以提高電源效率，此外，還多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，以及微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管。
東芝SiC肖特基二極管產品
東芝提出SiC-SBD（碳化硅肖特基二極管）和IEGT組成混合型器件的解決方案，此方案結合了全SiC器件低導通電阻和低開關損耗特性，可以使整個設備系統更高效節能，更輕小型化。
下表是東芝為客戶提供SiC肖特基二極管產品陣容：
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