N溝道增強型18A/200V MOSFET

  海飛樂技術18N20A4是采用自對準平面技術的硅N溝道增強型VDMOSFET，它可以降低導通損耗，改善開關性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路，使系統小型化，效率更高。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。
 
18N20A4特點：
快速開關
低導通電阻(Rdson≤0.12Ω)
低柵極電荷(24nC)
低反向傳輸電容(25pF)
100%單脈沖雪崩能量測試
 
18N20A4應用：
逆變器
去頻閃
通信電源
PC電源開關電路
 
N溝道增強型18A/200V MOSFET絕對值參數  
N溝道增強型18A/200V MOSFET電參數  
N溝道增強型18A/200V MOSFET特性曲線圖  
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優質、高效的產品，和國外產品相比，我司的該款產品具有高品質、貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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